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5SDD50N5500中文资料

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  • 描述:ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice. V RSM = 5500 V I F(AV)M = 4700 A I F(RMS) = 7390 A I FSM = 73×10 3 A V F0 = 0.8 V r F = 0.107 mW Rectifier Diode 5SDD 50N5500 Doc. No. 5SYA1169-00 Sep. 04 · Patented free-floating silicon technology · Very low on-state losses · Optimum power handling capability Blocking Maximum rated values 1) Parameter Symbol Conditions Value Unit Repetitive peak reverse voltage V RRM f = 50 Hz, t p = 10ms, T j = 0...150°C 5000 V Non - repetitive peak reverse voltage V RSM f = 5 Hz, t p = 10ms, T j = 0...150°C 5500 V Characteristic values Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Max. (reverse) leakage current I RRM V RRM , Tj = 150°C 400 mA Mechanical data Maximum rated values 1) Parameter Symbol Conditions min typ max Unit Mounting force F M 81 90 108 kN Acceleration a Device unclamped 50 m/s 2 Acceleration a Devic

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更新时间:2023-01-28 05:57:40
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